2024.11.23
硅碳化物陶瓷制备及应用概述
硅碳化物陶瓷制备及应用概述
21世纪,随着科学技术的进步,现代生产力的发展集中在信息技术、能源、材料和生物工程等领域。硅碳化物(SiC)材料由于其稳定的化学性质、高热导率、低热膨胀系数、低密度、优异的耐磨性、高硬度、机械强度和抗化学腐蚀性,迅速在材料领域崭露头角。
SiC陶瓷起源于20世纪60年代。在此之前,SiC主要用作磨料和耐火材料。然而,随着先进陶瓷的出现,传统的SiC陶瓷已不再令人满意。近年来,基于SiC的复合陶瓷得到了发展,提高了单相材料的性能。SiC陶瓷现在广泛应用于陶瓷滚珠轴承、阀门、半导体材料、测量仪器和航空航天工业。
硅碳化物的性质
硅碳化合物的化学稳定性与其氧化性能密切相关。虽然硅碳化合物容易氧化,但在氧化过程中会形成一层薄的二氧化硅(SiO₂)膜,逐渐阻止进一步氧化。
氧化行为:在空气中,SiC在800°C开始氧化,尽管速度较慢。随着温度升高,氧化速率迅速加快。在氧气中,氧化速率比在空气中快1.6倍,尽管随着时间的推移而减少。
• 外观:纯SiC为无色、透明晶体。工业SiC呈现多种颜色,包括无色、浅黄、浅绿、深绿、浅蓝、深蓝和黑色,随着颜色加深,透明度逐渐降低。SiC分为绿色SiC(无色至深绿)和黑色SiC(浅蓝至黑色)。
绿色碳化硅更脆,非常适合制作自磨砂料。
黑色碳化硅比绿色碳化硅更坚韧,并且用途不同。
2. 制备SiC陶瓷
2.1 生产超细SiC粉末
超细SiC粉末的制备,在高科技应用中至关重要,主要分为三大类别:
固相方法:
碳热还原法。
b. 直接Si-C反应方法,包括高温自蔓延合成和机械合金化。
液相方法:
溶胶-凝胶法。
聚合物热解方法。
c. 溶剂热法。
气相方法:
化学气相沉积(CVD)。
等离子辅助方法。
激光诱导蒸发沉积。
2.2 SiC陶瓷制备
由于SiC的强共价键和低扩散系数,无法使用传统烧结方法实现致密化。必须使用烧结助剂或外部压力来降低表面能量或增强致密化。
反应烧结SiC陶瓷:
α-SiC和碳与粘结剂混合并干燥。预制坯放入含硅材料中,加热至1400°C以上,使熔化或蒸发的硅渗入孔隙并与碳反应形成SiC,最终致密化材料。
热压硅碳陶瓷:
在烧结过程中施加压力可以加速原子扩散并提高烧结效率。然而,这可能导致颗粒沿压力方向垂直生长。热等静压(HIP)可以缓解这个问题。
无压烧结SiC陶瓷:
这种方法在生产复杂形状、大尺寸SiC零部件方面很有前景。它包括固相烧结和液相烧结,取决于烧结机制。
1. 电力电子器件 2. 汽车制动系统 3. 高温炉具
碳化硅陶瓷球
精密球在圆度测量仪器、陀螺仪、轴承和精密测量设备中至关重要。传统金属球易受温度影响而磨损和变形。SiC陶瓷球以其轻质、高硬度、耐磨性、耐高温和低热膨胀性被广泛应用于精密轴承和零部件。
碳化硅磨料和工具
碳化硅的高硬度(莫氏硬度:9.2-9.6)使其适用于磨料,如砂轮、砂纸和抛光剂,主要用于机械加工行业。碳化硅仅次于金刚石和碳化硼,是常用的磨料之一。
基于SiC的复合材料
陶瓷的固有脆性限制了它们在航空航天和其他高科技领域的应用。通过纤维增强来增强SiC的强度和模量。基于SiC的复合材料具有高韧性、强度和优异的抗氧化性能,在航空航天工业的高温结构应用中得到广泛应用。

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